从市场面做观察，DRAM厂在先进制程30nm/40nm产出持续增加的情况，第二季整体颗粒产出与上季相较约有9%增幅，但也由于各家DRAM厂皆历经制程转换、良率仍待改善的阵痛期，造成大量低阶(low-grade)颗粒流入现货市场，更导致第二季现货价格与合约市场不同调，呈现至少10%以上的跌幅。根据集邦科技的预估，虽然市场于今年皆处于供过于求的态势，但受到日本地震所造成的供应链可能缺货影响，造成DDR3 2Gb合约价于第二季上升约10%，若进一步与现货市场跌价合并考虑，合约价的短期上扬并未对整体营收有帮助，仅反映出PC-OEM回补DRAM库存时转趋积极，而不是代表终端需求强劲。

　　与第一季相同，韩系与美系DRAM厂持续缴交出获利的财务数字，台湾DRAM厂仅有瑞晶与华邦维持小幅盈利，其余各厂仍持续亏损状态。展望第三季，由于地震所带来的短期涨价动能已经完全消散，总体经济持续疲弱的影响，终端需求没有丝毫复苏迹象，预计将会加剧市场供过于求的状况，造成内存平均售价进一步的下跌。各DRAM厂除了更积极致力于制程转进，进一步改善成本结构外，同时调整自身产品组合，期望在此波DRAM跌价风暴中全身而退。

全球DRAM厂自有品牌内存营收排名

　　从全球DRAM厂自有品牌内存营收排名做分析，韩系厂三星与海力士的营收仍然稳居前两位，以三星而言，第二季营收与上季相较呈现2%的成长，市占率一举超越40%，主要受惠于35nm占产出比重大幅提升，根据集邦科技的预估，三星第二季位成长率近10%，产能转换过程亦未传出重大质量问题，有利于三星在营收市占进一步的攀升。海力士方面，营收与上季相比呈现微幅衰退，主要是受到转换新制程时的短期产能损失以及先前44nm制程的小批量质量异常所致，营收与市占率与上季相比几乎维持相同，展望第三季，海力士寄望38nm于客户端验证能够顺利进行，并于第三季末正式出货，同时提升行动式内存以及服务器内存比例策略仍维持不变，希望在此波DRAM跌价风暴当中也能够展现出相对稳健的绩效。

　　日商尔必达由于出货在现货市场的比例较高，所以受到现货价格跌价的影响较为显著，所幸自六月起受惠于力晶产出的挹注，营收方面与上季相较呈现4.8%的增长，市占率成长约1%，来到14.4%。然而尔必达在现货市场中出货比例较高的关系，价格上更低于合约市场，让获利方面仍处于亏损的状态。美光方面，虽然缴交出获利的财务报告，但在营收以及市占与上季相较仍呈现7.1%与约1%的衰退，其主因是受到42nm良率不如预期的影响，加上先进制程进度与其他国际大厂相较约有半年的差距，展望第三季需观察42nm良率是否有所提升，以及37nm的产品送样能否有具体的进度，方能定论未来市占是否会进一步的提升。

　　台湾DRAM厂方面，隶属尔必达阵营的力晶半导体于六月份正式成为尔必达的标准型DRAM代工厂，第二季末的产出已挹注至尔必达营收中，造成力晶半导体于第二季营收仅有美金2.1亿，与上季相较呈现近90%的衰退，下半年将完全退出内存品牌市场，加重非DRAM产品代工并寻求转型的契机。南科方面，第二季的营收与上季相较呈现9.7%成长，主要是受惠于来自42nm的比例提升，较上季呈现约17%的增幅，营收成长亦大幅攀升。华邦方面，由于已完全退出标准型内存市场加上专注于毛利高的利基型内存产出，第二季的营收与上季相比约上升2.1%，未来将专注产品获利能力的表现上。茂德由于财务问题，现金不足难以购买生产原料而导致投片量下修，进一步影响营收表现，与上个季度相比，第二季呈现24.5%的衰退，市占率更缩减到1.3%，对DRAM产业的影响力以微乎其微。

DRAM产业自有品牌各区域市占率

　　以各区域市占率的版图来分析，韩系厂商合计市占率高达65.7%，美系与台系DRAM厂方面各占营收市占的11.1%与8.4%，皆呈现下滑的趋势，而日系厂商反升至14.7%，整体而言，韩国厂商占整体营收市占的比例持续扩大，大者恒大的态势确立。