思宽中国区总经理商德明表示，LTE已为大势所趋，将成为思宽加码部署的重点市场。
思宽(Sequans)中国区总经理商德明表示，尽管2012年全球微波存取互通介面(WiMAX)市场仍在成长，现阶段仍为思宽主要获利的来源，然观察到全球LTE的运营商对于LTE终端装置的需求量正急速扩大，LTE亦已成为思宽主力产品线。 

随着中国移动、Softbank、Airtel、Reliance、AT&T、NTT DoCoMo、沃达丰(Vodafone)、Verizon等电信运营商紧锣密鼓地展开商业营运部署，LTE市场规模正快速扩大。商德明预期，2013年LTE终端装置的数量将会凌驾于WiMAX之上，最快至2012年，思宽LTE晶片产品线的营收贡献将可能会大于WiMAX，届时，思宽的产品线比重将会再进行调整。 

面对高通(Qualcomm)、意法易立信(ST-Ericsson)、博通(Broadcom)等竞争对手凭藉强大的专利核心技术已建立起难以跨越的防线，思宽如何在市场中突围，对此，商德明指出，思宽除将透过支付竞争对手权利金取得开发LTE的核心技术之外，该公司藉由过去在WiMAX累积的技术基础，已拥有开发LTE所需的正交频分频多工(OFDM)与多重输入多重输出(MIMO)两大技术，并成功开发出融合4G与3G的产品，以及与分时(TD)和分频双工(FDD)LTE运营商展开密切合作，将可望站稳市场一席之地。 

近期，思宽部署LTE动作频频，除与富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)达成协议，建立技术与行销合作关系；亦推出下一代采用40奈米制程开发的FDD与TD LTE晶片与LTE平台。 

思宽与富士通半导体的策略结盟，旨将富士通半导体的多模2G/3G/LTE射频(RF)解决方案与思宽新推出的下一代LTE基频解决方案结合，为客户提供高性能的LTE综合产品组合。富士通半导体RF收发器支援包括LTE频段在内的全球各主要频段与模式，思宽将把该RF收发器与自身的LTE晶片进行整合并对其展开充分验证。 

此外，思宽已发表三款新FDD与TD LTE基频晶片，一款配套RF晶片与两款新LTE平台，其中，Andromeda平台专为手持式装置及平板装置设计，而Mont Blanc平台专为行动热点(Hotspot)、通用序列汇流排(USB)与用户端设备(CPE)数据机量身设计。该三款晶片皆采用40奈米互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程技术设计，可实现低耗电量与高性能，并采用微型封装。